An Artisanal Metal-Insulator-Metal (MIM) Device - Resistive Switching Observation

Presentiamo un dispositivo memristivo artigianale, fabbricato con metodi a basso costo, che mostra un collasso della soglia di formazione da 17 V a 1,7 V dopo il condizionamento PWM, una ritenzione >75 min in regime volatile e rumore telegrafico casuale (RTN) a 1,7 V di media con livelli discreti di 0,1 μA. Una traccia continua di 120 s rivela 14 burst con legge esponenziale ON <τON>=1,36 s e distribuzione a coda pesante OFF fino a 28 s, interpretata come rottura del filamento di un singolo atomo e ricostruzione della diffusione di vacanze. La potenza operativa è di 0,17 μW. Parole chiave: memristore, artigianale, RTN, rumore telegrafico casuale, bassa potenza, neuromorfico