Effects of a Shallow Trench Between Pixels on the Electrical and Photoresponse Characteristics of a SiPM

본 논문에서는 픽셀 간 얕은 트렌치를 적용한 SiPM을 제작하고 전기적 및 광응답 특성을 분석하였다. 트렌치 단차에 따른 폴리실리콘 형상 변화로 퀜칭 저항(Quenching resistance, Rq)이 증가하였고, 이에 따라 항복 이후의 안정 동작 범위가 확대되었다. 또한 660 nm 파장에서의 광응답 측정을 통해 인접 광전자 피크 분리지수가 약 37.1% 향상됨을 확인했다. 이는 얕은 트렌치가 SiPM의 퀜칭 안정성과 광전자 분리특성 개선에 효과적임을 보여준다.