Experimental Evaluation of Single Event Effects in a COTS NOR Flash Memory Under Heavy-Ion Irradiation

본 논문에서는 상용 기성품(COTS) NOR 플래시 메모리를 대상으로 중이온 단일사건효과(Single-Event Effects, SEE)를 평가하였다. 시험은 미국 텍사스 A&M 대학교에서 LET 28.6-61.3 MeV·cm²/mg 범위의 중이온을 사용하여 수행하였으며, 모든 소자는 디캡(Decapsulation) 공정을 통해 다이를 직접 조사하였다. 동일 모델의 두 소자를 동일 조건에서 시험하였고 ECC(Error Correction Code)는 비활성화하였다. 조사중 메모리는 연속 읽기 모드로 동작하였으며, 비트 오류와 전원 전류를 모니터링하였다. SEE Cross Section은 비트 오류 수를 입사 이온 플루언스로 나누어 산출하였다. 시험 결과 일시적 비트 오류는 발생하였으나 지속적 래치업이나 영구적 하드 오류는 관측되지 않았다. 일부 고 에너지 강도(LET) 조건에서 전원 전류 변동이 나타났으나 정상 동작은 유지되었다. 본 결과는 해당 COTS NOR 플래시 메모리가 시험범위 내에서 파괴적 SEE를 보이지 않으며, 적절한 완화 기법 적용 시 우주 환경 활용 가능성을 시사한다.