Direct Extraction Method for Low-frequency Effect and RF Inductive Effect Parameters in Small-Signal Equivalent Circuit of Floating-body PD-SOI MOSFETs

높은 V_gs와 V_ds일 때 낮은 주파수에서 공존하는 floating-body PD-SOI MOSFET의 저주파 효과와 RF inductive 효과 파라미터들을 단일 bias의 소신호 등가회로로부터 정확히 분리 추출하기 위해서, 내부 출력 컨덕턴스 (G_oi)와 커패시턴스 (C_oi)의 주파수 종속 방정식을 기반으로 유도한 선형 회귀선을 사용하는 새로운 직접 추출 방법을 제안한다. 제안된 방법은 저주파 효과의 영향이 무시된 G_oi 근사 방정식을 이용하여 RF inductive 파라미터들을 먼저 추출한 후, 얻어진 C_oi 방정식을 이용하여 저주파 효과 파라미터들을 추출함으로써 두 효과의 안정적인 분리 추출이 가능하다. 또한, 제안된 추출 방식에서 발생하는 오차를 분석하고, 정확한 분리 추출을 위해 필요한 최대 및 최소 주파수 조건을 제시하였다. 새로운 추출 방식의 모델 정확도는 측정된 S-파라미터, G_oi 및 C_oi 데이터와의 비교를 통해 10 MHz에서 20 GHz까지 검증되었다.