Molecular Beam Epitaxial Growth of Monolithic VCSELs on Germanium and Silicon
Authors
Richard Monflier
Wlodek Strupinski
J. Moeyaert
Clara Cornille
Mickaël Martin
Pierre Gadras
Léo Bourdon
Benjamin Reig
Stéphane Calvez
Guilhem Almuneau
Karim Ben Saddik
T. Baron.
Alexandre Arnoult
Armel Descamps-Mandine
Institutions
Warsaw University of Technology (PL)
Centre National de la Recherche Scientifique (FR)
Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes (FR)
Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse (FR)
Teem Photonics (France) (FR)
Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (FR)
Publication Details
Journal
HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe)
Published
2026-06-14
Primary Topic
Semiconductor Lasers and Optical Devices
Type
article
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article
Molecular Beam Epitaxial Growth of Monolithic VCSELs on Germanium and Silicon
Richard Monflier, Wlodek Strupinski, J. Moeyaert, Clara Cornille et al.
Journal
HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe)
Topics
Semiconductor Lasers and Optical Devices
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Molecular Beam Epitaxial Growth of Monolithic VCSELs on Germanium and Silicon
Richard Monflier, Wlodek Strupinski, J. Moeyaert, Clara Cornille, Mickaël Martin, Pierre Gadras, Léo Bourdon, Benjamin Reig, Stéphane Calvez, Guilhem Almuneau, Karim Ben Saddik, T. Baron., Alexandre Arnoult, Armel Descamps-Mandine
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Abstract
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HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe)
Institutions
Warsaw University of Technology (PL), Centre National de la Recherche Scientifique (FR), Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes (FR), Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse (FR), Teem Photonics (France) (FR), Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (FR)