Authors

• Vishwajeet Maurya (ORCID: https://orcid.org/0000-0002-5708-0895)
• Y. Cordier (ORCID: https://orcid.org/0000-0003-3720-9409)
• Camille Sonneville (ORCID: https://orcid.org/0000-0001-8094-5618)
• Cyril Buttay
• Julien Buckley (ORCID: https://orcid.org/0000-0003-0082-9903)
• Thomas Kaltsounis (ORCID: https://orcid.org/0000-0002-9068-3161)
• Florian Bartoli (ORCID: https://orcid.org/0000-0002-4643-0968)
• M. Charles
• Hassan Maher (ORCID: https://orcid.org/0000-0002-3827-2517)
• Thibaud Guillemin (ORCID: https://orcid.org/0009-0008-1947-4966)
• Ndembi Ignoumba-Ignoumba
• Farid Medjdoub
• Dominique Planson
• Maroun Dagher
• Adrien Bidaud (ORCID: https://orcid.org/0009-0000-0845-2114)
• Eric Frayssinet
• Hala El Rammouz
• Mohammed El Amrani
• Jean Marie Bluet

Institutions

• Université Claude Bernard Lyon 1 (FR)
• Centre National de la Recherche Scientifique (FR)
• Université de Sherbrooke (CA)
• Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (FR)
• Institut des Nanotechnologies de Lyon (FR)
• CEA Grenoble (FR)
• Groupe de Recherche en Droit, Économie, Gestion (FR)
• Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (FR)
• Laboratoire Ampère (FR)
• Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (FR)
• Université Grenoble Alpes (FR)

Publication Details

Journal

Applied Physics Letters

Published

2026-03-23

DOI

https://doi.org/10.1063/5.0325369

Primary Topic

GaN-based semiconductor devices and materials

Type

article

Field-Weighted Citation Impact

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