Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (FR)
Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (FR)
Université Polytechnique Hauts-de-France (FR)
École Centrale de Lille (FR)
Publication Details
Journal
SPIRE - Sciences Po Institutional REpository
Published
2025-06-16
Primary Topic
GaN-based semiconductor devices and materials
Type
article
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article
Development of ScAlN/GaN High Electron Mobility Transistor on silicon substrate for RF applications
Yassine Fouzi, Nagesh Bhat, Z. Bougria, Seif El Whibi et al.
Journal
SPIRE - Sciences Po Institutional REpository
Topics
GaN-based semiconductor devices and materials
article
Development of ScAlN/GaN High Electron Mobility Transistor on silicon substrate for RF applications
Yassine Fouzi, Nagesh Bhat, Z. Bougria, Seif El Whibi, Marie Lesecq, Florian Bartoli, Yvon Cordier, Jean-Claude de Jaeger, Maxime Hugues, N. Defrance
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Abstract
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Publication Tag
SPIRE - Sciences Po Institutional REpository
Institutions
Centre National de la Recherche Scientifique (FR), Université de Lille (FR), Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (FR), Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (FR), Université Polytechnique Hauts-de-France (FR), École Centrale de Lille (FR)