A Comprehensive Analysis of STT-MRAM-based Bayesian Neural Network Implementation
Bayesian Neural Network (BayNN)은 예측 불확실성을 정량화할 수 있는 확률론적 신경망으로, 고신뢰 인공지능 시스템 구현을 위한 핵심 기술로 주목받고 있다. 최근에는 BayNN을 하드웨어적으로 구현하려는 연구가 활발히 진행되고 있으며, 그 중 STT-MRAM 기반 Near-Memory Computing (NMC) 구조는 높은 에너지 효율성과 낮은 지연 시간, 반복 추론에 대한 높은 적합성 등의 장점으로 유망한 플랫폼으로 부각되고 있다. 본 논문에서는 Monte-Carlo dropout 기반 BayNN의 반복 추론 구조에서 최적 dropout 확률과 추론 횟수에 따른 불확실성 지표 변화를 분석하고, 이를 STT-MRAM 기반 NMC 구조로 구현할 때 나타나는 주요 한계점(가중치 반복 접근, magnetic tunnel junction variation으로 인한 random number generator 불안정성 등)을 고찰한다. 또한, 이러한 문제를 완화하기 위한 회로 및 아키텍처 수준의 설계 기술을 제안한다.
Authors
- Dasom Ahn
- Taehui Na (ORCID: https://orcid.org/0000-0001-8823-0625)
- Siyeal Lee
Publication Details
- Journal
- Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
- Published
- 2025-12-31
- DOI
- https://doi.org/10.5573/ieie.2025.62.12.46
- Primary Topic
- Machine Learning and ELM
- Type
- article
- Field-Weighted Citation Impact
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