Fabrication et caractérisation de diodes Schottky GaN dans un TP innovant au sein du PLFM de Lille

Cet article présente la mise en place d'un Travail Pratique (TP) innovant au sein du Pôle CNFM de Lille (PLFM).

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Journal
SPIRE - Sciences Po Institutional REpository
Published
2025-12-03
Primary Topic
GaN-based semiconductor devices and materials
Type
article
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Fabrication et caractérisation de diodes Schottky GaN dans un TP innovant au sein du PLFM de Lille

SPIRE - Sciences Po Institutional REpository
GaN-based semiconductor devices and materials
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Fabrication et caractérisation de diodes Schottky GaN dans un TP innovant au sein du PLFM de Lille

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Abstract

Cet article présente la mise en place d'un Travail Pratique (TP) innovant au sein du Pôle CNFM de Lille (PLFM).

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