Photovoltaic characteristics of n–InAs/n–GaInPSbAs/p–GaInPSbAs thermophotovoltaic converters

Приводятся результаты исследований, направленные на создание методом зонной перекристаллизации градиентом температуры (ЗПГТ) высокоэффективных термоэлектрических преобразователей n–InAs/n–GaInPSbAs/p–GaInPSbAs/p–AlGaAsSb, работающих в спектральном диапазоне 0,5–2,5 мкм. Использование пятикомпонентных твердых растворов GaInPSbAs в качестве активной области термофотоэлектрических (ТФЭ) преобразователей позволяет оценить путем изменения концентрации компонентов влияние плотности дислокаций несоответствия на оптические и спектральные характеристики ТФЭ-преобразователей: внешний квантовый выход, напряжение холостого хода Uxx, фактора заполнения FF и плотность тока короткого замыкания j.