Analysis of Program Characteristics in V-NAND with Varying Dimple Length

본 논문은 V-NAND에서 channel hole의 식각 공정으로 인해 형성되는 convex 및 concave 형태의 dimple 구조가 소자 특성에 미치는 영향을 분석하였다. Dimple 길이 변화에 따라 electric field (e-field) 분포와 trap charge 형성이 달라지며, 이는 incremental step pulse programming (ISPP) 동작 시, program 속도 및 간섭특성에 영향을 미친다. Convex 구조에서는 dimple 길이가 증가할수록 word line (WL)에 e-field가 집중되어 trap charge와 program disturbance가 증가하였고, concave 구조에서는 e-field가 spacer (SP)로 분산되어 disturbance가 완화되는 경향을 보였다.