A Ka-Band Low-noise Amplifier In FD-SOI Process

본 논문은 28-nm CMOS FD-SOI 공정을 이용하여 Ka 대역에서 동작하는 저잡음증폭기를 설계하였다. 설계된 저잡음증폭기는 차동공통 소스 증폭단과입출력 임피던스정합 회로로 구성된다. 증폭단에는교차 결합 커패시터 기법을 적용하여 안정적인 동작과 충분한 이득을 얻을 수 있었다. 이득과 잡음 지수를 추가적으로 개선하기 위해 1.1 V의 바디 바이어싱을 인가하여 문턱 전압을 조절하였다. 제작된 저잡음증폭기는 28GHz에서 11.6 dB의 최대 이득과 2.8 dB의 잡음 지수를 보이며, 3-dB 대역폭은 8 GHz이다.