G. Brémond (ORCID: https://orcid.org/0000-0002-0679-7175)
V Maurya
M Dagher
H. Haas (ORCID: https://orcid.org/0000-0003-3796-5423)
M R Iretki
J M Bluet
Matthew Charles (ORCID: https://orcid.org/0000-0003-0668-8865)
Institutions
Institut polytechnique de Grenoble (FR)
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (FR)
Institut des Nanotechnologies de Lyon (FR)
CEA Grenoble (FR)
Laboratoire Ampère (FR)
Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information (FR)
Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (FR)
Publication Details
Journal
SPIRE - Sciences Po Institutional REpository
Published
2024-11-03
Primary Topic
GaN-based semiconductor devices and materials
Type
article
Field-Weighted Citation Impact
0.00
Controls
|||
ALL TIME
JAN
FEB
MAR
APR
MAY
JUN
JUL
AUG
SEP
OCT
article
Peripheral defects related to processing technique in GaN-on-GaN vertical devices
Dominique Planson, Camille Sonneville, Julien Buckley, G. Brémond et al.
Journal
SPIRE - Sciences Po Institutional REpository
Topics
GaN-based semiconductor devices and materials
article
Peripheral defects related to processing technique in GaN-on-GaN vertical devices
Dominique Planson, Camille Sonneville, Julien Buckley, G. Brémond, V Maurya, M Dagher, H. Haas, M R Iretki, J M Bluet, Matthew Charles
article en
Abstract
No abstract available for this paper.
Publication Tag
SPIRE - Sciences Po Institutional REpository
Institutions
Institut polytechnique de Grenoble (FR), Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (FR), Institut des Nanotechnologies de Lyon (FR), CEA Grenoble (FR), Laboratoire Ampère (FR), Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information (FR), Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (FR)