Accelerated aging test procedures for SRAM PUFs

이 논문은 SRAM PUF(Static Random Access Memory Physically Unclonable Function)의 가속 노화 시험 절차를 제안한다. PUF는 반도체 공정 편차를 이용한 반도체 지문 역할을 하는 하드웨어 보안 기술이다. 따라서, SRAM PUF 의 반도체 칩의 노화에 따른 안전성과 안정성 확인이 매우 중요한데, 가속 노화 시험은 반도체 10년 생애주기를 모사하 여 반도체 10년 사용 후 PUF 특성을 예측할 수 있도록 도와준다. 온도와 전압을 운영 환경보다 높게 설정하여, 10년간 의 노화를 약 9일만에 재현할 수 있는 가속 수명 시험 방법을 제안한다, 이를 통하여 SRAM PUF의 특성 평가를 정량 적으로 확인할 수 있다. 이 연구는 SRAM PUF 기반 시스템의 설계 및 유지 보수 시험 기술 발전에 기여할 것으로 기대한다.