Some aspects of IC radiation hardness evaluation to the effects of high-energy ions
В работе проводится анализ особенностей экспериментальной оценки зависимости сечений одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) в функции линейных потерь энергии (ЛПЭ) для ионов с энергиями выше 100 МэВ/нуклон. С целью изменения значений ЛПЭ используются ослабители энергии ионов до получения максимально возможных величин ЛПЭ. В работе представлены оценки изменений спектра ЛПЭ при различных толщинах ослабителя на основе поликарбоната на примере воздействия ионов железа с энергиями 100...450 МэВ/нуклон. Оценка значений ЛПЭ в корпусированных изделиях с неизвестным физико-химическим составом предлагается проводить по модифицированной методике, используемой на ускорителе ионов в Брукхейвенской национальной лаборатории в США. Предлагается данную методику дополнить предварительными исследованиями на рентгеновских установках для возможной оценки массовой толщины защитных слоев корпусов интегральных схем. С целью уменьшения влияния неконтролируемых факторов предлагается проводить утонение корпусов по результатам анализа рентгеновских снимков. Предлагаемый подход позволяет корректно определять зависимости сечений ОРЭ от ЛПЭ как корпусированных, так и декапсулированных интегральных схем к воздействию ионов высоких энергий. Полученные результаты предполагаются использоваться на специализированной станции ИСКРА, входящей в состав нуклотронного комплекса НИКА (NICA) в ОИЯИ, г. Дубна. Представленные результаты позволяют провести оценку сбое- и отказ-устойчивости электронно-информационных систем к воздействию ионов искусственного и естественного происхождений.
Authors
- A. I. Chumakov (ORCID: https://orcid.org/0000-0001-6270-2663)
- Dmitry V. Bobrovsky (ORCID: https://orcid.org/0000-0003-3036-2953)
- Armen V. Sogoyan (ORCID: https://orcid.org/0000-0002-9380-239X)
Institutions
- National Research Nuclear University MEPhI (RU)
Publication Details
- Journal
- Bezopasnost informacionnyh tehnology
- Published
- 2024-09-01
- DOI
- https://doi.org/10.26583/bit.2024.3.08
- Primary Topic
- Semiconductor materials and devices
- Type
- article
- Field-Weighted Citation Impact
- 0.00
Funders
- Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation